国家/地区 美国(1379)
IPC部 B(1379) C(1028) H(850)
G(221) D(57) A(51)
F(36) E(5)
IPC大类 B82(1379)
IPC小类 B82Y(1310) C01B(859) H01L(462)
H01B(270) B32B(239) C23C(201)
H01M(197) B82B(195) B01J(164)
B05D(147) C08K(138) H01G(111)
G01N(103) C08L(88) C09D(82)
IPC B82Y030/00(901) B82Y040/00(863) C01B031/04(565)
C01B031/02(407) H01B001/04(199) H01L029/16(160)
B82B003/00(157) C01B032/182(146) C01B032/194(141)
B82Y099/00(139) C08K003/04(127) C23C016/26(125)
H01L021/02(119) C01B032/184(113) C01B031/00(112)
发明人 JANG B Z(46) ZHAMU A(45) CHOI J(43)
FAN S(37) LEE J(31) SHIN H(28)
LEE S(27) LIN Y(27) JIANG K(26)
CHOI J Y(25) KIM S(25) SHIN H J(22)
LIN X(21) CHUNG H(19) HONG B H(19)
公开年 2013(254) 2012(211) 2014(174) 2011(125) 2015(123) 2021(103) 2017(83) 2016(76) 2022(56) 2018(46) 2010(43) 2009(27) 2020(21) 2023(19) 2019(11) 2008(5)
申请年 2012(287)  2011(189)  2013(162)  2014(128)  2015(96)  2010(93)  2021(83)  2016(64)  2017(62)  2020(62)  2009(54)  2022(29)  2019(27)  2018(17)  2008(14)  2007(9) 
专利权人 SAMSUNG ELEC.(103) INT BUSINESS.(65) HON HAI PREC.(43) NANOTEK INST.(42)
UNIV TSINGHU.(42) HONGFUJIN PR.(38) JANG B Z(32) ZHAMU A(32)
UNIV SUNGKYU.(25) KOREA INST S.(23) EMPIRE TECHN.(22) SEMICONDUCTO.(22)
UNIV SUNGKYU.(22) TOSHIBA KK(21) UNIV CALIFOR.(20) HANWHA TECHW.(17)
SAMSUNG TECH.(17) UNIV RICE WI.(16) UNIV PRINCET.(14) UNIV SINGAPO.(14)